| 发明名称 | 一种半导体深孔刻蚀后的工艺监控方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体深孔刻蚀后的工艺监控方法，包括以下步骤：a.提供具有预定形状和尺寸的测试结构；b.测量所述测试结构的质量，得到容差范围；c.测量待监控晶圆的质量，并与所述容差范围进行比较，若待监控晶圆的质量值在容差范围内，则认为深孔的刻蚀深度已经达到要求；若不在容差范围内，则深孔的刻蚀深度没有达到工艺要求，需要对刻蚀工艺条件进行调整。本发明采用无损伤的高精度质量量测方法，通过测量硅深孔硅刻蚀后的质量，来间接表征硅深孔刻蚀深度是否达到工艺要求。晶圆整片测量，不需要特定测试结构，方便快捷；且反馈结果直观，快速，准确，且对晶圆无损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN105304514A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201410345705.7 | 申请日期 | 2014.07.18 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 杨涛;李亭亭;洪培真;李俊峰;赵超 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 一种半导体深孔刻蚀后的工艺监控方法，包括以下步骤：a.提供具有预定形状和尺寸的测试结构；b.测量所述测试结构的质量，得到容差范围；c.测量待监控晶圆的质量，并与所述容差范围进行比较，若待监控晶圆的质量值在容差范围内，则认为深孔的刻蚀深度已经达到要求；若不在容差范围内，则深孔的刻蚀深度没有达到工艺要求，需要对刻蚀工艺条件进行调整。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||