| 发明名称 | 一种三维相变存储器结构及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种三维相变存储器结构以及制造方法，其中所述的相变存储器单元采用MOS管作为选通管，其特征在于所述三维相变单元沟道垂直，可以实现相变存储器多层堆叠，32～96层堆叠，实现高集成密度，大容量存储。本发明中相变材料为锑系材料，锑中掺杂硅、铝、钨、钛、镍等，锑系材料可以通过化学气相沉积的方式沉积，以实现相变存储器的多层堆叠。其中所述相变材料如Si<sub>x</sub>Sb，掺杂硅含量的不同可以改变材料的性能，可以通过控制掺杂含量，以实现高速读写。 | ||
| 申请公布号 | CN105304638A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201510786318.1 | 申请日期 | 2015.11.16 |
| 申请人 | 上海新储集成电路有限公司 | 发明人 | 亢勇;陈邦明 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人 | 俞涤炯 |
| 主权项 | 一种三维相变存储器，其特征在于，采用MOS管作为选通管，相变材料为锑系化合物，掺杂元素包括硅、铝、钨、钛、镍等。 | ||
| 地址 | 201506 上海市金山区亭卫公路6505号2幢8号 | ||