| 发明名称 | 一种具有a轴高度取向的铌酸铋钙薄膜材料体系及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种具有a轴高度取向的铌酸铋钙薄膜材料体系及制备方法，包括基体、缓冲层、底电极、铌酸铋钙介电层、顶电极，所述基体为晶格常数与CBN的c轴晶格常数匹配的氧化物半导体单晶基片，所述底电极为导电氧化物薄膜。本发明的工艺流程和设备操作简单明了，所用原材料均为市场所售，成本较低，易于器件集成，适合于工业化推广及生产。 | ||
| 申请公布号 | CN105296946A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201510677412.3 | 申请日期 | 2015.10.16 |
| 申请人 | 欧阳俊 | 发明人 | 欧阳俊;张云香 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I;C23C14/04(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人 | 曹丽 |
| 主权项 | 一种具有a轴高度取向的铌酸铋钙薄膜材料体系，包括基体、缓冲层、底电极、铌酸铋钙介电层、顶电极，其特征在于，所述基体为晶格常数与CBN的c轴晶格常数匹配的氧化物半导体单晶基片，所述底电极为导电氧化物薄膜。 | ||
| 地址 | 250061 山东省济南市历下区经十路17923号山东大学千佛校区 | ||