| 发明名称 | 工艺室、制备工艺室的方法和操作工艺室的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了工艺室以及制备和操作工艺室的方法。在一些实施例中，制备用于处理衬底的工艺室的方法包括：在工艺室的腔内设置的元件上方形成第一阻挡层，元件包括排气材料；以及在工艺室内，在第一阻挡层上方形成第二阻挡层。本发明还涉及工艺室、制备工艺室的方法和操作工艺室的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN105304465A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201410406169.7 | 申请日期 | 2014.08.18 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林毓超;张铭庆;黄渊圣;陈瑞铭;陈昭成 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种制备用于处理衬底的工艺室的方法，所述方法包括：在所述工艺室的腔内设置的元件上方形成第一阻挡层，所述元件包括排气材料；以及在所述工艺室内，在所述第一阻挡层上方形成第二阻挡层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||