在积层电路板上直接磊晶生长多色LED的方法及应用

摘要

本发明涉及一种在积层电路板上直接磊晶生长多色发光二极管LED的方法，其特征在于，所述积层电路板的上表面具有在积层电路板的金属焊盘电极上淀积的晶格适配层，所述方法包括：在所述积层电路板上表面的第一区域物理气相沉积无机绝缘层；在未被所述无机绝缘层覆盖的除第一区域外的第二区域上生长单色LED；刻蚀第一区域的无机绝缘层；在所述积层电路板上表面的第二区域物理气相沉积无机绝缘层；在未被所述无机绝缘层覆盖的除第二区域外的第一区域上生长单色LED；刻蚀第二区域的无机绝缘层；其中所述第一区域内包括一部分晶格适配层，所述第二区域内包括另一部分晶格适配层。

主权项

一种在积层电路板上直接磊晶生长多色发光二极管LED的方法，其特征在于，所述积层电路板的上表面具有在积层电路板的金属焊盘电极上淀积的晶格适配层，所述方法包括：在所述积层电路板上表面的第一区域物理气相沉积无机绝缘层；在未被所述无机绝缘层覆盖的除第一区域外的第二区域上生长单色LED；刻蚀第一区域的无机绝缘层；在所述积层电路板上表面的第二区域物理气相沉积无机绝缘层；在未被所述无机绝缘层覆盖的除第二区域外的第一区域上生长单色LED；刻蚀第二区域的无机绝缘层；其中所述第一区域内包括一部分晶格适配层，所述第二区域内包括另一部分晶格适配层；其中，所述积层电路板为无机积层电路板。