| 发明名称 | 太阳能电池及其制造方法 | ||
| 摘要 | 太阳能电池及其制造方法。讨论了一种制造太阳能电池的方法。该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成隧穿层；在该隧穿层上形成半导体层，其中，形成该半导体层的步骤包括沉积半导体材料；以及形成连接到所述半导体层的电极。在高于室温的温度和低于大气压力的压力下形成所述隧穿层。 | ||
| 申请公布号 | CN105304749A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201510315716.5 | 申请日期 | 2015.06.10 |
| 申请人 | LG电子株式会社 | 发明人 | 梁荣成;崔正薰;朴昶绪;权亨振 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/042(2014.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 吕俊刚;刘久亮 |
| 主权项 | 一种制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成隧穿层；在该隧穿层上形成半导体层，其中，形成该半导体层的步骤包括沉积半导体材料；以及形成连接到所述半导体层的电极，其中，在高于室温的温度和低于大气压力的压力下形成所述隧穿层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||