IGZO溅射靶和IGZO膜

摘要

一种溅射靶，其为包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)和氧(O)的IGZO烧结体溅射靶，其特征在于，In、Ga、Zn为0.575≥In/(In+Ga)≥0.500、且Zn/(In+Ga+Zn)＜0.333的组成范围，该溅射靶具有由(In_xGa_(1-x))₂ZnO₄(1＞x＞0)相构成的单一相组织、或者具有由(In_xGa_(1-x))₂ZnO₄(1＞x＞0)相和In₂O₃相构成的双相结构的组织，该In₂O₃相的最大直径为10μm以下。本发明提供实现降低溅射用靶的体电阻以及载流子浓度为一定范围以下、并且实现提高靶的密度、将电弧放电的产生抑制到最小限度、能够进行DC溅射的IGZO靶技术。

主权项

一种溅射靶，其为包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)和氧(O)的IGZO烧结体溅射靶，其特征在于，In、Ga、Zn为0.575≥In/(In+Ga)≥0.500、且Zn/(In+Ga+Zn)＜0.333的组成范围，该溅射靶具有由(In_xGa_(1‑x))₂ZnO₄(1＞x＞0)相构成的单一相组织。