发明名称 |
一种三维非催化性基底负载石墨烯薄膜结构及其在低温环境下的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种三维非催化性基底负载石墨烯薄膜结构,所述结构包括非催化性基片机体,机体表面上刻蚀的三维结构,以及覆盖在整个表面的石墨烯薄膜。本发明也公开了所述三维非催化性基底负载石墨烯薄膜结构在低温环境下的制备方法。本方法操作简便,制作周期短,制作成本低,可以直接在不同材料,与具有不同表面三维结构的非催化性基片上全表面共形覆盖高质量的连续均匀的石墨烯薄膜。三维非催化性基底负载石墨烯薄膜可以作为表面的透明电极在光电器件、微机电系统(MEMS)等器件上加以应用,也可用于开发新型纳米器件。 |
申请公布号 |
CN105296958A |
申请公布日期 |
2016.02.03 |
申请号 |
CN201510762946.6 |
申请日期 |
2015.11.10 |
申请人 |
中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
发明人 |
魏大鹏;宋雪芬;杨俊;于乐泳;余崇圣;申钧;史浩飞;杜春雷 |
分类号 |
C23C16/26(2006.01)I;C30B28/14(2006.01)I;C30B29/02(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/26(2006.01)I |
代理机构 |
北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 |
代理人 |
赵荣之 |
主权项 |
一种三维非催化性基底负载石墨烯薄膜结构,其特征在于,所述结构包括非催化性基片机体,机体表面上刻蚀的三维结构,以及覆盖在整个表面的石墨烯薄膜。 |
地址 |
400714 重庆市北碚区方正大道266号 |