半导体装置的制造方法

摘要

在包括氧化物半导体膜的晶体管中，形成与氧化物半导体膜接触并且覆盖源电极及漏电极的用来防止带电的金属氧化物膜。然后通过金属氧化物膜向该金属氧化物膜引入（添加）氧并且进行热处理。通过氧引入及热处理的这些步骤，从氧化物半导体膜中有意地去除氢、水分、羟基或者氢化物等杂质，以高度纯化氧化物半导体膜。此外，通过设置金属氧化物膜，可以在晶体管中防止氧化物半导体膜的背沟道侧上产生寄生沟道。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：在基板上形成栅电极；在所述栅电极上形成栅极绝缘膜；形成隔着所述栅极绝缘膜与所述栅电极重叠的氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜含有铟、镓和锌；形成电连接到所述氧化物半导体膜的源电极和漏电极；在惰性气体气氛中进行第一热处理；在氧气氛中进行冷却处理；形成与所述氧化物半导体膜的部分接触的金属氧化膜；以及进行第二热处理。