发明名称 |
一种利用多晶硅切割废料制备碳化硅粉的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种利用多晶硅切割废料制备碳化硅粉的方法。所述制备碳化硅粉的方法以多晶硅切割废料为原料,将所述多晶硅切割废料研磨过筛后加入浸出溶液进行湿法浸出除铁,经过抽滤、清洗及干燥获得除铁后多晶硅废料,在所述除铁后多晶硅废料中配加碳粉并研磨混匀,然后添加粘结剂并压块成型,在高温炉中,氩气气氛中反应烧结,制备获得所述碳化硅粉。本发明利用多晶硅切割废料为原料,降低了生产成本低,并生产工艺简单、能耗低,获得的碳化硅粉具有强度高的特点,具有很高的商业价值。 |
申请公布号 |
CN105293498A |
申请公布日期 |
2016.02.03 |
申请号 |
CN201510726067.8 |
申请日期 |
2015.10.30 |
申请人 |
北京科技大学 |
发明人 |
张国华;吴跃东;周国治 |
分类号 |
C01B31/36(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;C04B35/626(2006.01)I |
主分类号 |
C01B31/36(2006.01)I |
代理机构 |
北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 |
代理人 |
皋吉甫 |
主权项 |
一种利用多晶硅切割废料制备碳化硅粉的方法,其特征在于,所述制备碳化硅粉的方法以多晶硅切割废料为原料,经过湿法浸出除铁后配入碳粉,然后进行低温度的烧结处理,制备得到碳化硅粉, 所述碳化硅粉的成分为α‑SiC和β‑SiC。 |
地址 |
100083 北京市海淀区学院路30号 |