| 发明名称 | 半导体结构的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体结构的制作方法，至少包括以下步骤：首先，提供一基板，基板上的一第一区域包含有多个鳍状结构，并包含有一绝缘层位于该基板上，且位于各该鳍状结构之间，然后形成一第一材料层覆盖该鳍状结构以及该绝缘层，接着部分移除各该鳍状结构，以及形成至少一外延层于各该剩余的鳍状结构顶部。 | ||
| 申请公布号 | CN105304490A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201410352445.6 | 申请日期 | 2014.07.23 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 简金城 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种半导体结构的制作方法，至少包含以下步骤： 提供一基板，基板上的一第一区域包含有多个鳍状结构，并包含有一绝缘层位于该基板上，且位于各该鳍状结构之间； 形成一第一材料层位于该绝缘层上，并同时曝露部分该鳍状结构； 部分移除各该鳍状结构；以及 分别形成一外延层于各该剩余的鳍状结构顶部。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区 | ||