制造F-RAM的方法

摘要

包括互补金属-氧化物-半导体晶体管和嵌入的铁电电容器的非易失性存储器单元以及形成相同器件的方法被描述。在一个实施例中，所述方法包括在基底的表面上形成栅级，其包括MOS晶体管的栅堆叠、覆盖在所述MOS晶体管上的第一介电层和通过所述第一介电层从其顶表面延伸到所述MOS晶体管的扩散区的第一触点。局部互连(LI)层被沉积在所述第一介电层的所述顶表面和所述第一触点上方，包括底部电极、顶部电极和二者之间的铁电层的铁堆叠被沉积在所述LI层上方，介电层且所述铁堆叠和所述LI层被图案化以形成铁电电容器和LI，所述底部电极通过LI被电耦合到所述MOS晶体管的所述扩散区。

主权项

一种方法，包括：在基底的表面上形成栅级，所述栅级包括金属‑氧化物‑半导体(MOS)晶体管的栅堆叠、上覆于所述MOS晶体管的第一介电层和通过所述第一介电层从其顶表面延伸到在所述基底中的所述MOS晶体管的扩散区的第一触点；在所述第一介电层的所述顶表面和所述第一触点上沉积局部互连(LI)层；在所述LI层上方沉积铁堆叠，所述铁堆叠包括底部电极、顶部电极和这两者之间的铁电层，所述底部电极电耦合到所述LI层；以及图案化所述铁堆叠和所述LI层以形成铁电电容器和LI，通过所述LI所述底部电极被电耦合到所述MOS晶体管的所述扩散区。