通过单硅烷的热裂解来制备二硅烷的方法及制备装置

摘要

本发明提供一种通过单硅烷的热裂解来制备二硅烷的装置，所述装置包含：单硅烷热裂解反应部；固体颗粒去除部，去除所述热裂解反应部中产生的固体颗粒；冷凝部，对去除了所述固体颗粒的气体中的除了氢气之外的未反应的单硅烷、作为热裂解反应产物的二硅烷及硅原子数为3至7的高级硅烷进行液化并收集；第一分离部，从被液化且未反应的单硅烷、二硅烷及硅原子数为3至7的高级硅烷的混合物中分离出单硅烷；以及第二分离部，从已去除了单硅烷的混合物中分离出二硅烷及硅原子数为3至7的高级硅烷。依据本发明，通过热裂解法来将单硅烷制备成高纯度的二硅烷，从而能够经济并有效地制备出具有高附加值的二硅烷，使收益极大化。

主权项

一种二硅烷制备装置，其为通过单硅烷的热裂解来制备二硅烷的装置，其特征在于，所述二硅烷制备装置包含：单硅烷热裂解反应部，热裂解温度为400‑460℃、热裂解压力为3‑5巴，以及热裂解气体空间速度为60‑500hr^‑1；固体颗粒去除部，其包含金属过滤器及陶瓷支撑物，所述金属过滤器用于去除所述热裂解反应部中产生的固体颗粒中直径超过0.1μm的颗粒，所述陶瓷支撑物设置于所述金属过滤器的后部，用于去除直径为0.1μm以下的颗粒；冷凝部，对去除了所述固体颗粒的气体中的除了氢气之外的未反应的单硅烷、作为热裂解反应产物的二硅烷及硅原子数为3至7的高级硅烷进行液化并收集；第一分离部，从被液化且未反应的单硅烷、二硅烷及硅原子数为3至7的高级硅烷的混合物中分离出单硅烷；以及第二分离部，从已去除了单硅烷的混合物中分离出二硅烷及硅原子数为3至7的高级硅烷。