发明名称 |
具有金属氧化物的薄膜晶体管基板及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种薄膜晶体管基板及其制造方法。所述薄膜晶体管包括布置在基板上的栅极,布置在栅极上的栅绝缘膜,布置在栅绝缘膜上并包括金属氧化物的有源层,与有源层的一侧相接触的源极和与有源层的另一侧相接触的像素电极,和插入到源极和像素电极之间的蚀刻终止层。 |
申请公布号 |
CN103531591B |
申请公布日期 |
2016.02.03 |
申请号 |
CN201210568595.1 |
申请日期 |
2012.12.24 |
申请人 |
乐金显示有限公司 |
发明人 |
柳尙希 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
徐金国 |
主权项 |
一种薄膜晶体管基板,包括:布置在基板上的栅极;布置在栅极上的栅绝缘膜;布置在栅绝缘膜上并包括金属氧化物的有源层;与有源层基本上平行于基板的一侧相接触的源极和与有源层基本上平行于基板的另一侧相接触的像素电极;和插入到源极和像素电极之间的蚀刻终止层。 |
地址 |
韩国首尔 |