提升Mg空穴浓度的LED外延结构及其生长方法

摘要

本发明提供了提升Mg空穴浓度的LED外延结构及生长方法，外延结构从下至上包括非掺杂u型GaN层、第一高掺杂Si的n型GaN层、n型AlGaN电子阻挡层、第二高掺杂Si的n型GaN层、低温n型掺杂过渡层、浅量子阱、高低温量子阱、低温垒过渡层、P型AlGaN/InGa电子阻挡层、氮氢混气低掺杂P型GaN层、高温P层及高温P型接触层，高温P层从下至上包括第一高温P层、第二高温P层和第三高温P层，第一、三高温P层的Mg浓度均高于第二高温P层Mg浓度。本发明生长方法的高温P层Mg掺杂量呈现两头高中间低的趋势，形成梯度电容结构，提升空穴浓度，极大地减少了大电流密度下的衰减效应，提高电子与空穴的复合几率。

主权项

一种提升Mg空穴浓度的LED外延结构，其特征在于，从下至上依次包括蓝宝石衬底、低温缓冲层、非掺杂u型GaN层、第一高掺杂Si的n型GaN层、n型AlGaN电子阻挡层、第二高掺杂Si的n型GaN层、低温n型掺杂过渡层、浅量子阱、高温量子阱、低温量子阱、低温垒过渡层、P型AlGaN/InGa电子阻挡层、氮氢混气低掺杂P型GaN层、高温P层以及高温P型接触层；所述高温P层从下至上依次包括第一高温P层、第二高温P层和第三高温P层，其中，第一高温P层和第三高温P层的Mg浓度均高于第二高温P层的Mg浓度。