发明名称 铝薄膜制备方法
摘要 本发明公开了一种铝薄膜制备方法,包括如下步骤:向工艺腔室中通入第一流量的第一工艺气体和第二流量的第二工艺气体,并在第一沉积功率下沉积第一层铝薄膜;继续向工艺腔室中通入第三流量的第一工艺气体和第四流量的第二工艺气体,并在第二沉积功率下沉积第二层铝薄膜;其中,第一沉积功率小于第二沉积功率。其通过两步法,采用双层膜的沉积模式,第一步制备较为疏松的第一层铝薄膜,与晶片之间形成良好的欧姆接触,第二步制备更为致密,电阻率更低的第二层铝薄膜,有效地解决了现有的铝薄膜制备工艺制备的铝薄膜合金相不稳定,且工艺窗口要求苛刻,不利于生产的问题。
申请公布号 CN105304510A 申请公布日期 2016.02.03
申请号 CN201410350029.2 申请日期 2014.07.22
申请人 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 发明人 荣延栋;蒋秉轩;卢平元;田立飞;夏威;王厚工;丁培军
分类号 H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L21/60(2006.01)I
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人 李芙蓉
主权项 一种铝薄膜制备方法,其特征在于,包括如下步骤:向工艺腔室中通入第一流量的第一工艺气体和第二流量的第二工艺气体,并在第一沉积功率下沉积第一层铝薄膜;继续向所述工艺腔室中通入第三流量的所述第一工艺气体和第四流量的所述第二工艺气体,并在第二沉积功率下沉积第二层铝薄膜;其中,所述第一沉积功率小于所述第二沉积功率。
地址 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号