发明名称 基膜
摘要 本发明提供了一种基膜、一种积层体以及一种制备偏光膜的方法。本发明提供了一种能够有效地制备偏光膜的基膜、一种积层体以及一种制备偏光膜方法,所述偏光膜的厚度为约10μm以下、约8μm以下、约7μm以下、约6μm以下或约5μm以下,并具有优异的功能,例如偏光性能。根据本发明可以防止在延伸处理中产生撕裂或卷曲等,并且可以通过容易地延伸可偏光材料例如PVA类树脂而制备偏光膜。
申请公布号 CN105308103A 申请公布日期 2016.02.03
申请号 CN201480032961.9 申请日期 2014.06.19
申请人 LG化学株式会社 发明人 梁世雨;南星铉;罗钧日;黄闰泰;郑棕炫;柳惠珉;黄智英;朴恩淑
分类号 C08J5/18(2006.01)I;C08L75/04(2006.01)I;G02B5/30(2006.01)I 主分类号 C08J5/18(2006.01)I
代理机构 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人 李静;黄丽娟
主权项 一种满足下式1的可延伸基膜:[式1]E/R≥5,其中,在式1中,E表示室温下测定的可延伸基膜的伸长率(单位:%),R表示恢复率(单位:%),所述恢复率的测定方法如下:通过将宽度和长度与基膜相同而厚度为30μm的聚乙烯醇膜粘贴到被切成宽度为50mm、长度为100mm的基膜的表面而制备的积层体在60℃的水中于纵向延伸5倍,从水中取出该积层体,剥离聚乙烯醇膜,将该积层体在室温保持1小时,测定所述基膜在长度方向上的长度T,并将所测得的值代入式“100×(T‑A)/A”中来计算恢复率,其中,该式中的A为延伸之前所述基膜的长度。
地址 韩国首尔