发明名称 |
掠入射反射器、光刻设备、掠入射反射器制造方法及器件制造方法 |
摘要 |
一种用于极紫外辐射的掠入射反射器(300)包括第一反射镜层(310)和在第一反射镜层下面的多层反射镜结构(320)。第一反射镜层至少部分地反射以在第一范围内的掠入射角入射到所述掠入射反射器上的极紫外辐射,所述第一反射镜层透射在入射角的第二范围中的极紫外辐射,所述入射角的第二范围与入射角的第一范围重叠且延伸超出入射角的第一范围。多层反射镜结构反射极紫外辐射,所述极紫外辐射以在所述第二范围内的掠入射角入射到所述掠入射反射器上且穿透所述第一反射镜层。掠入射反射器可以用于光刻设备中和通过光刻过程制造器件中。 |
申请公布号 |
CN103380401B |
申请公布日期 |
2016.02.03 |
申请号 |
CN201280009855.X |
申请日期 |
2012.01.18 |
申请人 |
ASML荷兰有限公司 |
发明人 |
A·亚库宁;V·班尼恩;O·弗里基恩斯 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01)I;G21K1/06(2006.01)I;G02B5/08(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
张启程 |
主权项 |
一种用于极紫外(EUV)辐射的掠入射反射器,包括:第一反射镜层,配置成至少部分地反射以在第一范围内的掠入射角入射到所述掠入射反射器上的极紫外辐射,所述第一反射镜层配置成透射在入射角的第二范围中的极紫外辐射,所述入射角的第二范围与掠入射角的第一范围重叠且延伸超出入射角的第一范围;和在第一反射镜层下面的多层反射镜结构,配置成反射极紫外辐射,所述极紫外辐射以在所述第二范围内的掠入射角入射到所述掠入射反射器上且穿透所述第一反射镜层。 |
地址 |
荷兰维德霍温 |