一种多重图形化掩膜层的形成方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种多重图形化掩膜层的形成方法。本申请的一种多重图形化掩膜层的形成方法，通过在第一牺牲层侧壁形成第一侧墙后，然后沉积第二牺牲层，接着去除第一牺牲层，以第二牺牲层为掩膜沉积形成第二侧墙，最后去除第二牺牲层，在半导体器件上形成多重图形化掩膜层。方法操作简单，且形成的多重图形化掩膜层两侧侧壁的形貌差异减小了，有利于提高最终形成的半导体器件的性能。

主权项

一种多重图形化掩膜层的形成方法，其特征在于，包括：提供一硅衬底；于所述硅衬底之上依次叠置硬质掩膜层和第一牺牲层，且所述第一牺牲层部分覆盖所述硬质掩膜层的上表面；制备第一侧墙覆盖所述第一牺牲层的侧壁及邻近所述牺牲层暴露的所述硬质掩膜层的上表面；制备第二牺牲层覆盖所述硬质掩膜层暴露的表面，并去除所述第一牺牲层，以形成以所述第一侧墙为侧壁的凹槽；制备第二侧墙覆盖所述凹槽的侧壁，并去除所述第二牺牲层，以形成多重图形化掩膜层。