| 发明名称 | 半导体用复合基板的操作基板 | ||
| 摘要 | 操作基板1，由作为烧结助剂至少含有镁的透光性氧化铝陶瓷形成。操作基板1的相对于施主基板5的接合面1a上的镁浓度，在操作基板1的平均镁浓度的一半以下。 | ||
| 申请公布号 | CN105308718A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201480023299.0 | 申请日期 | 2014.03.13 |
| 申请人 | 日本碍子株式会社 | 发明人 | 宫泽杉夫 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人 | 李晓 |
| 主权项 | 一种操作基板，是半导体用复合基板的操作基板，其特征在于，所述操作基板由透光性氧化铝烧结体形成，该透光性氧化铝烧结体中作为烧结助剂至少含有镁，所述操作基板的相对于施主基板的接合面上的镁浓度，在所述操作基板的平均镁浓度的一半以下。 | ||
| 地址 | 日本国爱知县名古屋市瑞穗区须田町2番56号 | ||