| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件，包括第一器件区域：衬底；第一有源区堆叠，包括衬底上的第一半导体区和其上的第二半导体区，以及空腔，空腔位于第一半导体区的端部、第二半导体区与衬底之间；第一器件，位于第二半导体区之上，且其源漏区位于空腔之上；第二器件区域：衬底；第二有源区堆叠，包括衬底上的第三半导体区和其上的第四半导体区，以及绝缘层，绝缘层位于第三半导体区的端部、第四半导体区与衬底之间；第二器件，位于第四半导体区之上，且其源漏区位于绝缘层之上。该半导体器件具有低成本、漏电小、功耗低、速度快、工艺较为简单且集成度高的特点。 | ||
| 申请公布号 | CN105304629A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201410339866.5 | 申请日期 | 2014.07.16 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 唐波;许静;闫江;王红丽;唐兆云;徐烨锋;李春龙;陈邦明;杨萌萌 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/088(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 党丽;逢京喜 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，包括第一器件区域和第二器件区域，其中，第一器件区域包括：衬底；第一有源区堆叠，包括衬底上的第一半导体区和其上的第二半导体区，以及空腔，空腔位于第一半导体区的端部、第二半导体区与衬底之间；第一器件，位于第二半导体区之上，且其源漏区位于空腔之上；第二器件区域包括：衬底；第二有源区堆叠，包括衬底上的第三半导体区和其上的第四半导体区，以及绝缘层，绝缘层位于第三半导体区的端部、第四半导体区与衬底之间；第二器件，位于第四半导体区之上，且其源漏区位于绝缘层之上。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||