| 发明名称 | 基于强互耦效应的超宽带共孔径相控阵天线及研制方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于强互耦效应的超宽带共孔径相控阵天线及研制方法，它包含印制在介质层上的由呈周期性排列的偶极子单元构成的高频段天线单元和低频段天线单元，并在同一频段的相邻偶极子单元之间设置具有增强电容耦合效应的结构，高、低频段天线单元之间引入电磁带隙结构，用以抑制阵列在高频段的栅瓣电平，以及一端与各偶极子单元相连，一端与对应反射地板相连的不平衡-平衡阻抗变换结构，且对应频段天线单元设置于对应反射地板上方的1/4波长处，该波长为对应频段的最高频处的波长。本发明用于超宽带共孔径相控阵天线的设计，其设计的共孔径相控阵天线尤其适合需要超宽工作频带的应用平台。 | ||
| 申请公布号 | CN105305098A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201510628719.4 | 申请日期 | 2015.09.29 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 杨仕文;倪东;陈益凯 |
| 分类号 | H01Q19/185(2006.01)I;H01Q1/38(2006.01)I;H01Q21/30(2006.01)I | 主分类号 | H01Q19/185(2006.01)I |
| 代理机构 | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人 | 周刘英 |
| 主权项 | 基于强互耦效应的超宽带共孔径相控阵天线，其特征在于，包括介质层(107)、阻抗匹配层(108)、反射地板、填充材料(106)和天线子阵单元阵列，其特征在于，所述天线子阵单元包括设置在介质层(107)上的1个第一频段偶极子单元(101)、2个或2个以上的相邻排列的第二频段偶极子单元(102)；设置于第一频段偶极子单元(101)和第二频段偶极子单元(102)之间的电磁带隙结构；一端与各偶极子单元相连，一端与对应反射地板相连的不平衡‑平衡阻抗变换结构(104)，与第一频段偶极子单元(101)对应的反射地板为第一反射地板(109<sub>1</sub>)，与第二频段偶极子单元(102)对应的反射地板为第二反射地板(109<sub>2</sub>)；且介质层(107)与第一反射地板(109<sub>1</sub>)的距离为第一频段最高频处的0.2～0.3波长，介质层(107)与第二反射地板(109<sub>2</sub>)的距离为第二频段最高频处的0.2～0.3波长同一频段的相邻偶极子单元之间具有增强电容耦合效应的结构(101‑1、102‑1)；介质层(107)与反射地板之间的填充材料(106)为低介电常数材料，阻抗匹配层(108)位于介质层(107)上方。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||