一种低温多晶硅TFT阵列基板的制造方法

摘要

本发明提供了一种低温多晶硅TFT阵列基板的制造方法，包括以下步骤：A、提供一基板，在基板上方依次沉积缓冲层和非晶硅层；B、对非晶硅层进行图案化处理；C、对非晶硅层进行离子掺杂；D、对非晶硅层进行退火处理，形成多晶硅层；E、在多晶硅层上依次沉积第一绝缘层和第一金属膜，并制作栅极；F、在第一金属膜上沉积第二绝缘层，之后在第二绝缘层上沉积第二金属膜并形成源极和漏极；G、在第二绝缘层上形成平坦层，并在平坦层上方形成电极。上述制造方法通过将退火处理设置在离子掺杂工艺之后，这样在退火冷却至室温的过程中，附带完成了离子活化处理，无需再设置活化步骤，简化了工艺流程，避免了基板由于二次升温造成的热收缩性增大的现象。

主权项

一种低温多晶硅TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：A、提供一基板，在所述基板上方依次沉积缓冲层和非晶硅层；B、通过刻蚀对所述非晶硅层进行图案化处理，形成所需的非晶硅段，并分别在所述非晶硅段上定义出沟道区域、源极区域、漏极区域以及分别位于所述源极区域和沟道区域之间及所述漏极区域和沟道区域之间的浅掺杂区域；C、对所述非晶硅层进行离子掺杂，形成所需的半导体；D、对所述非晶硅层进行退火处理，使非晶硅结晶转变成多晶硅，形成多晶硅层；E、在所述多晶硅层上依次沉积第一绝缘层和第一金属膜，并通过刻蚀制程在所述第一金属膜上制作栅极，之后对所述多晶硅层上的浅掺杂区域进行离子掺杂；F、在所述第一金属膜上沉积第二绝缘层，通过刻蚀在所述第二绝缘层上形成多个第一通孔，所述第一通孔贯穿所述第一绝缘层和第二绝缘层，之后在所述第二绝缘层上沉积第二金属膜并形成源极和漏极，所述源极和漏极经由所述第一通孔分别与所述源极区域和漏极区域连通；G、在所述第二绝缘层上沉积一层有机光阻，形成平坦层，并在所述平坦层上方形成电极。