| 发明名称 | 鳍式场效应晶体管的结构和形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了半导体器件的结构和形成方法。该半导体器件包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的鳍结构。该半导体器件也包括覆盖鳍结构的一部分的栅极堆叠件以及位于鳍结构上方并且邻近栅极堆叠件的外延生长的源极/漏极结构。该半导体器件还包括位于外延生长的源极/漏极结构上方的半导体保护层。半导体保护层的硅原子浓度大于外延生长的源极/漏极结构的硅原子浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN105304709A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201410800225.5 | 申请日期 | 2014.12.19 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 张简旭珂;林子凯;郑志成 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体衬底；鳍结构，位于所述半导体衬底上方；栅极堆叠件，覆盖所述鳍结构的一部分；外延生长的源极/漏极结构，位于所述鳍结构上方并且邻近所述栅极堆叠件；以及半导体保护层，位于所述外延生长的源极/漏极结构上方，其中，所述半导体保护层的硅原子浓度大于所述外延生长的源极/漏极结构的硅原子浓度。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||