| 发明名称 | 一种LTPS阵列基板及其制造方法、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种LTPS阵列基板及其制造方法、显示装置，该方法包括：提供一基板；在所述基板上依次形成缓冲层、半导体图形层以及第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成栅极层，并减小所述第一绝缘层未被所述栅极图形遮挡区域的厚度；在所述栅极层上依次形成第二绝缘层以及源漏层。通过上述方式，本发明能够形成厚度不同的第一绝缘层，一方面提高了TFT的阈值电压，另一方面提高了磷低剂量掺杂的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN105304470A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201510633394.9 | 申请日期 | 2015.09.29 |
| 申请人 | 武汉华星光电技术有限公司 | 发明人 | 张占东 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人 | 何青瓦 |
| 主权项 | 一种LTPS阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：提供一基板；在所述基板上依次形成缓冲层、半导体图形层以及第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成栅极层，并减小所述第一绝缘层未被所述栅极图形遮挡区域的厚度；在所述栅极层上依次形成第二绝缘层以及源漏层。 | ||
| 地址 | 430070 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋 | ||