一种用于碳化硅功率器件的结终端结构及制作方法

摘要

本发明提供了一种用于碳化硅功率器件的结终端结构及制作方法，属于功率半导体器件技术领域；本发明在功率半导体器件的结终端耐压区(即第一传导类型浅掺杂区和第二传导类型重掺杂区)的引入一层第二传导类型掺杂层，然后通过多次刻蚀的方法实现多区结终端扩展结构，从而使该区域电荷在横向与纵向实现随着距主结的横向距离而减小。本发明能够提高器件结终端单位长度的耐压，缩小终端的面积，简化工艺，降低制作难度，提高生产效率，降低生产成本，提高产品的合格率。

主权项

一种用于碳化硅功率器件的结终端结构，其特征在于包括：衬底、第一传导类型层、第二传导类型层，第一传导类型层衬底之上，第二传导类型层位于第一传导类型层之上，第一传导类型层与第二传导类型层的界面处为主结；主结的边缘有由第二传导类型掺杂物形成的结终端扩展区域，结终端扩展区域中具有小于第二传导类型层中的掺杂物浓度，且总电荷在纵向方向上呈现浓度梯度；所述衬底为单层或多层具有不同传导类型的碳化硅半导体材料。