发明名称 | 一种精炼工业硅制备太阳能级硅的方法 | ||
摘要 | 本发明公开的是一种精炼工业硅制备太阳能级硅的方法,主要解决了现有冶金法制备太阳能级多晶硅工艺路线都比较长、设备较复杂、成本较高以及工艺的可控性较差等问题。本发明包括以下步骤:(1)冶金级硅在炉内熔化后获得硅熔体,向炉内通入保护气体和精炼气体,进行造渣精炼;所述造渣精炼包括低温造渣阶段、中温造渣阶段和高温造渣阶段;(2)造渣精炼后再进行真空精炼;(3)真空精炼完成后将熔体硅进行分凝精炼,分凝精炼后通过定向凝固获得成品。本发明具有投资少、操作方便、节能、可适用于大规模生产等优点。 | ||
申请公布号 | CN105293502A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
申请号 | CN201510675040.0 | 申请日期 | 2015.10.19 |
申请人 | 成都理工大学 | 发明人 | 罗大伟;李凛;周世一;龙剑平 |
分类号 | C01B33/037(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/037(2006.01)I |
代理机构 | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人 | 谭新民 |
主权项 | 一种精炼工业硅制备太阳能级硅的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)冶金级硅在炉内熔化后获得硅熔体,向炉内通入保护气体和精炼气体,进行造渣精炼;所述造渣精炼包括低温造渣阶段、中温造渣阶段和高温造渣阶段;(2)造渣精炼后再进行真空精炼;(3)真空精炼完成后将熔体硅进行分凝精炼,分凝精炼后通过定向凝固获得成品。 | ||
地址 | 610000 四川省成都市二仙桥东三路1号 |