发明名称 封装芯片背面失效定点的方法
摘要 本发明公开了一种封装芯片背面失效定点的方法,包含:第1步,针对封装样品进行背面研磨,直至暴露出芯片背面,以及暴露出包裹在封装体内的引线;第2步,对样品表面进行清理及固定;第3步,采用打线机,在芯片引线和封装基座之间引线实现互联;第4步,对封装基座引线施加电学信号,激发漏电路径,采用传统的失效定点设备进行失效定点。本发明适用于各种封装形式和封装大小,对研磨的可控范围大,能够有效地对失效样品进行失效分析前的样品制备,对样品分析发挥有效作用。
申请公布号 CN105301475A 申请公布日期 2016.02.03
申请号 CN201510607049.8 申请日期 2015.09.22
申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 发明人 马香柏
分类号 G01R31/28(2006.01)I 主分类号 G01R31/28(2006.01)I
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人 丁纪铁
主权项 一种封装芯片背面失效定点的方法,其特征在于,包含:第1步,针对失效的封装芯片进行背面研磨,直至暴露出芯片背面,以及暴露出包裹在封装体内的引线;第2步,对样品表面进行清理及固定;第3步,采用打线机,在芯片引线和封装基座之间实现引线互联;若打线机识别不了芯片引线,则在芯片引线正上方生长铂金属条之后,再在铂金属条与封装基座之间显现引线互联;第4步,对封装基座引线施加电学信号,激发漏电路径,采用失效定点设备进行失效定点。
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号