晶体管内与先进的硅化物形成结合的凹槽式漏极和源极区

摘要

本申请涉及晶体管内与先进的硅化物形成结合的凹槽式漏极和源极区。在形成复杂的晶体管元件的制造工艺中，可减少栅极的高度，也可在各自的金属硅化物区域形成之前，在共同的蚀刻序列得到漏极和源极配置。因为在蚀刻序列时，相应的侧壁间隔结构可维持，因此可控性和栅电极内的硅化处理的统一性可加强，从而得到减少程度的阈值变异性。此外，可提供凹槽式漏极和源极配置以减少整体串联电阻和增加应力传递效率。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：形成第一和第二晶体管的漏极和源极区；在该第二晶体管的该漏极和源极区中形成半导体合金；执行第一蚀刻工艺，以从该第一晶体管的第一栅电极和该第二晶体管的第二栅电极移除材料；执行第二蚀刻工艺，以从该第一和第二晶体管的漏极和源极区移除材料，但通过间隔结构在该第一和该第二蚀刻工艺期间保护该第一和第二栅电极的侧壁，其中，该半导体合金的多余的材料设置在该第二晶体管的该漏极和源极区，以在该第一和该第二蚀刻工艺之后在该第二晶体管维持非凹槽式漏极和源极配置；以及在该间隔结构的存在下，在该第一和第二栅电极和该漏极和源极区中形成金属硅化物，该金属硅化物在该第一和第二栅电极的掺硅材料中终止，相较于该第一晶体管的栅极绝缘层的下表面定义的高度水平，该金属硅化物的上表面置于较低的高度水平。