一种铜纳米管垂直互连结构及其制作方法

摘要

本发明涉及一种铜纳米管垂直互连结构的制作方法，属于微电子集成技术领域。本发明首先在基片上制作垂直深孔；在所述的基片表面上制作绝缘层，该绝缘层覆盖所述垂直深孔的内表面；在上述绝缘层表面附着催化剂；在催化剂的帮助下，在绝缘层的表面生长铜纳米管；铜纳米管生长完毕后在深孔填充绝缘材料。与常规的基于铜导体的垂直互连技术相比，本发明利用在轴向具有极高电导率和极高热导率的铜纳米管作为传导介质，有利于提高垂直互连的电信号传输性能和整体芯片的散热能力。因此，本发明在微电子集成技术领域具有广泛的应用前景。

主权项

一种铜纳米管垂直互连结构，主要包括以下结构：衬底(101)，绝缘层(201)(203)(204)，中心支撑材料(202)，铜纳米管层(302)，金属互连结构(401)(402)。