发明名称 |
具有与第一通路或中间通路结构连接的后触点的微电子元件 |
摘要 |
微电子单元(140B、184B)包括微电子元件,例如具有单晶形式的半导体区域的集成电路芯片(102)。半导体区域具有以第一方向延伸的正面、邻近正面的有源电路元件(124)、远离正面(112)的背面(114)、及向背面延伸的导电通路(120)。导电通路可通过无机介电层(122)与半导体区域绝缘。开口(154)可从背面延伸,穿过半导体区域的部分厚度,沿第一方向,开口和导电通路具有各自的宽度(156、158)。在开口与导电通路相交处,开口的宽度(156)可比导电通路的宽度(158)更大。后触点(168)可与导电通路(120)电连接,并在背面(114)暴露,用于与如另一类似微电子单元(140A)、微电子封装或电路板等外部电路元件电连接。 |
申请公布号 |
CN103109349B |
申请公布日期 |
2016.02.03 |
申请号 |
CN201080069192.1 |
申请日期 |
2010.10.13 |
申请人 |
德塞拉股份有限公司 |
发明人 |
瓦格·奥甘赛安;贝勒卡西姆·哈巴;伊利亚斯·默罕默德;克雷格·米切尔;皮尤什·萨瓦利亚 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
珠海智专专利商标代理有限公司 44262 |
代理人 |
段淑华;刘曾剑 |
主权项 |
微电子单元,包括:微电子元件,包括单晶半导体区域,且所述微电子元件具有正面、在所述正面暴露的前触点、邻近所述正面的有源电路元件、远离所述正面的背面、包括一种或多种多晶半导体材料和金属的第二区域、及从所述背面延伸穿过所述单晶半导体区域的部分厚度的开口,所述第二区域朝着所述背面延伸穿过所述半导体区域的部分厚度,所述第二区域通过无机介电层与所述单晶半导体区域绝缘,所述微电子元件进一步具有至少一条完全位于所述正面与所述背面之间的通路,其中所述前触点与所述第二区域仅间接地电连接,且该间接电连接通过所述通路延伸;及后触点,与所述第二区域电连接,且在所述背面暴露,用于与外部电路元件电连接。 |
地址 |
美国加利福尼亚州圣荷西市奥卓公园路3025号 |