一种神经突触仿生器件及其制备方法

摘要

本发明属于人工神经技术领域，具体为一种神经突触仿生器件及其制备方法。本发明的神经突触仿生器件包括衬底、位于衬底之上的底电极、位于底电极之上的阻变功能层、以及位于阻变功能层之上的顶电极；其中，所述电阻转变层包括上下两层氧化层、以及位于上下两层之间的金属纳米颗粒。本发明釆用柔性材料作衬底，突破了目前有关神经突触仿生器件的研究集中于硅基的忆阻器的局面，可在柔性电子设备中获得应用。在神经突触仿生器件的制备中，采用低温原子层淀积工艺生长氧化层，能够降低热预算，并能够保证器件性能。

主权项

一种神经突触仿生器件，包括衬底、位于衬底之上的底电极、位于底电极之上的阻变功能层，以及位于阻变功能层之上的顶电极，其特征在于，所述电阻转变层包括上下两层氧化层、以及位于上下两层氧化层之间的金属纳米颗粒。