| 发明名称 | 用于减少硅衬底中的过量载流子引起的劣化的方法 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例涉及用于减少硅衬底(310)中的过量载流子引起的劣化的方法，该方法包括在硅衬底(310)上设置能够保持电荷的带电绝缘层(320)，用于在带电绝缘层(320)与硅衬底(310)之间产生电势差；和热处理硅衬底(310)，以使得导致过量载流子引起的劣化并处于硅衬底(310)中的杂质能够由于电势差扩散到硅衬底(310)和绝缘层(320)的分界(330)中。 | ||
| 申请公布号 | CN105308757A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201280054793.4 | 申请日期 | 2012.10.01 |
| 申请人 | 阿尔托大学理工学院 | 发明人 | A·哈拉希尔图奈恩;H·萨维恩;M·V·耶里-库斯基 |
| 分类号 | H01L31/028(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/028(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 郭思宇 |
| 主权项 | 一种用于减少硅衬底中的过量载流子引起的劣化的方法(100)，该方法包括：在硅衬底上设置(120、130)带电绝缘层，该带电绝缘层能够保持电荷以用于在带电绝缘层与硅衬底之间产生电势差；和热处理(140)硅衬底，用于使得导致过量载流子引起的劣化并处于硅衬底中的杂质能够由于电势差扩散到硅衬底和绝缘层的分界中。 | ||
| 地址 | 芬兰阿尔托 | ||