发明名称 |
电光单晶元件、该元件的制造方法以及使用该元件的系统 |
摘要 |
本发明涉及电光(E-O)晶体元件、其应用及制造方法。更具体而言,本发明涉及E-O晶体元件(其可以由掺杂的或未掺杂的PMN-PT、PIN-PMN-PT或PZN-PT铁电晶体制造),该晶体元件显示出超高的线性E-O系数γc(例如横向有效线性E-O系数γTc高于1100pm/V,而纵向有效线性E-O系数γlc至多达到527pm/V),这使得在多种调变、通讯、激光和工业用途中,得到低于200V的Vlπ和低于大约87V的VTπ的极低的半波电压。 |
申请公布号 |
CN105308496A |
申请公布日期 |
2016.02.03 |
申请号 |
CN201380026516.7 |
申请日期 |
2013.04.04 |
申请人 |
P·韩 |
发明人 |
P·韩;W·严 |
分类号 |
G02F1/03(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/03(2006.01)I |
代理机构 |
余姚德盛专利代理事务所(普通合伙) 33239 |
代理人 |
郑洪成 |
主权项 |
一种生产电光晶体元件的方法,其包括以下步骤:制造铁电晶体,其具有由以下一种化学式表示的化学组成:(I)Pb(Mg1/3Nb2/3)1‑xTixO3,其中x定义为0.22至0.38,或(II)Pb(Zn1/3Nb2/3)1‑yTiyO3,其中y定义为0.04至0.11,其中所有所述的晶体元件可以掺杂或共掺杂高达6%(wt%)的镧(La)、锑(Sb)、高达8%(wt%)的钽(Ta)、高达31%(wt%)的铟(In)、高达5%(wt%)的锆(Zr)以及得自铈(Ce)、铒(Er)、铽(Tb)、钪(Sc)和钕(Nd)中的至少一种稀土元素,该元素高达8%(wt%);将所述的晶体元件切成(011),并形成晶片;以及在低于95℃的温度下,在2倍矫顽磁场(Ec)下,通过使所述的晶体元件沿<011>的方向极化而极化成mm2对称结构。 |
地址 |
美国伊利诺伊州 |