用于形成具有曲面特征的薄膜的方法和包括该薄膜的器件

摘要

本发明披露了制造具有曲面特征的薄膜的方法。利用掩膜、通过氢氧化钾蚀刻方法，在平坦的基板表面中形成多个凹穴，每个凹穴均为倒置平头金字塔形状。在基板表面之上形成氧化物层。该氧化物层可以被剥离，以在基板表面之中的凹穴的不同小平面之间留下圆滑的拐角，并且所述基板表面可以用来充当轮廓转移基板表面，用于制造具有凹形曲面特征的薄膜。或者，将一个处理层附接于氧化物层上并且移除基板，直到氧化物层的背面显露出来。显露出来的氧化物层的背面包括从处理层凸出的曲面部分，并且可以提供一种轮廓转移基板表面，用于制造具有凸形曲面特征的薄膜。

主权项

一种用于形成具有曲面特征的薄膜的方法，包括：对半导体基板的顶面进行氧化，以形成一个氧化物层，该半导体基板的顶面具有形成于其中的凹穴，该凹穴具有一个平坦的端壁和多个与端壁邻接的平坦倾斜侧壁，所述氧化物层包括凹穴端壁上的第一部分、凹穴倾斜侧壁上的第二部分、以及半导体基板顶面上位于半导体基板顶面中的凹穴开口周围的平面第三部分；剥离所述氧化物层的第一部分、第二部分和第三部分，以分别在凹穴的端壁和各倾斜侧壁之间、以及凹穴的相邻的侧壁之间留下圆滑的相交处；在剥离所述氧化物层后，在半导体基板的顶面上沉积第一材料层，所述第一材料层至少覆盖凹穴的端壁和多个倾斜的侧壁以及各个圆滑的相交处；以及从半导体基板的底面移除至少一部分半导体基板，以至少露出之前覆盖凹穴的端壁和与端壁邻接的各侧壁的下部的区域中的第一材料层的底面。