| 发明名称 | 一种稀磁半导体材料(Ca,Na)(Zn,Mn)<sub>2</sub>As<sub>2</sub>及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种稀磁半导体材料，其化学式为(Ca<sub>1-x</sub>Na<sub>x</sub>)(Zn<sub>1-y</sub>Mn<sub>y</sub>)<sub>2</sub>As<sub>2</sub>，其中0<x≤0.2，0<y≤0.3。本发明还提供一种稀磁半导体材料的制备方法，利用固相反应法，在与氧隔离的环境中烧结前躯体，形成(Ca<sub>1-x</sub>Na<sub>x</sub>)(Zn<sub>1-y</sub>Mn<sub>y</sub>)<sub>2</sub>As<sub>2</sub>，0<x≤0.2，0<y≤0.3，其中固相反应法所采用的烧结温度为600-1000℃。 | ||
| 申请公布号 | CN105296785A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201410302565.5 | 申请日期 | 2014.06.27 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 靳常青;赵侃;邓正 |
| 分类号 | C22C1/10(2006.01)I;C22C1/05(2006.01)I;C22C30/06(2006.01)I | 主分类号 | C22C1/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人 | 王勇;王博 |
| 主权项 | 一种稀磁半导体材料，其化学式为(Ca<sub>1‑x</sub>Na<sub>x</sub>)(Zn<sub>1‑y</sub>Mn<sub>y</sub>)<sub>2</sub>As<sub>2</sub>，其中0<x≤0.2，0<y≤0.3。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街8号 | ||