发明名称 | 具有低β双极型器件的带隙电压电路 | ||
摘要 | 本发明涉及具有低β双极型器件的带隙电压电路。器件和技术的代表性实现提供带隙参考电路的带隙电压的分布中的减小。在偏置目标双极型器件之前,通过使偏置电流穿过一个或多个相似的双极型器件而调节用于目标双极型器件的偏置电流。 | ||
申请公布号 | CN105302221A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
申请号 | CN201510280755.6 | 申请日期 | 2015.05.28 |
申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | 张勇祥 |
分类号 | G05F1/565(2006.01)I | 主分类号 | G05F1/565(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 王岳;胡莉莉 |
主权项 | 一种设备,包括:第一双极型器件,所述第一双极型器件的基极‑发射极电压被用来确定带隙电压值;以及第二双极型器件,其串联耦合到所述第一双极型器件,并且被布置成在确定所述带隙电压值时使偏置电流通过以偏置所述第一双极型器件,从而减小所述带隙电压的电压分布。 | ||
地址 | 奥地利菲拉赫 |