发明名称 |
一种增强GaP粗糙表面的LED四元芯片的制备方法 |
摘要 |
一种增强GaP粗糙表面的LED四元芯片的制备方法,包括如下步骤:(1)在LED四元芯片的GaP窗口层表面蒸镀上AuBe膜作为p型电极,通过退火使Au和Be分子扩散至GaP窗口层,再在所述AuBe膜上涂上正性光刻胶,然后进行光刻,在AuBe膜层表面保留正性光刻胶的电极图形;(2)配置AuBe腐蚀液;(3)在保留的正性光刻胶电极图形保护下,通过配置的AuBe腐蚀液腐蚀制备出金属电极及增强GaP粗糙表面。本发明通过在腐蚀液中添加有机表面活性剂,使LED四元芯片在腐蚀时能完全将扩散至GaP的Au和Be分子全部腐蚀掉,增强了GaP粗糙表面,得到更稳定的出射角度,提升LED四元芯片的出光效率并确保了电极不受损伤。 |
申请公布号 |
CN105304769A |
申请公布日期 |
2016.02.03 |
申请号 |
CN201510601162.5 |
申请日期 |
2015.09.21 |
申请人 |
山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
发明人 |
李晓明;陈康;刘琦;申加兵;徐现刚;夏伟 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
济南日新专利代理事务所 37224 |
代理人 |
王书刚 |
主权项 |
一种增强GaP粗糙表面的LED四元芯片的制备方法,其特征是,包括如下步骤:(1)在LED四元芯片的GaP窗口层表面蒸镀上AuBe膜作为p型电极,通过退火使Au和Be分子扩散至GaP窗口层,再在所述AuBe膜上涂上正性光刻胶,然后进行光刻,在AuBe膜层表面保留正性光刻胶的电极图形;(2)配置AuBe腐蚀液;将碘、碘化钾和纯水按照质量比0.8~1:3~4:15~18的比例混合配置成混合液,再在混合液中添加混合液体积0.1%~0.5%的有机表面活性剂,配置成AuBe腐蚀液;(3)在步骤(1)保留的正性光刻胶电极图形保护下,通过步骤(2)配置的AuBe腐蚀液腐蚀制备出金属电极及增强GaP粗糙表面。 |
地址 |
261061 山东省潍坊市高新区金马路9号 |