| 发明名称 | 阵列基板、显示器及阵列基板的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种阵列基板包括基板、栅极、栅极绝缘层、第一有源层、源极、漏极及钝化层，所述栅极设置在所述基板的一个表面上；所述栅极绝缘层覆盖所述栅极上；所述第一有源层覆盖在所述栅极绝缘层上；其中，所述第一有源层中含有局部扩散的量子点金属；所述源极及漏极设置于所述第一有源层上，且分别位于所述栅极的两侧；所述钝化层覆盖在所述源极、漏极及第一有源层上。因此，本发明不仅提高了所述阵列基板的稳定性，且使得所述阵列基板具有广泛的应用。本发明还提供一种显示器及阵列基板的制作方法。 | ||
| 申请公布号 | CN105304651A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201510833681.4 | 申请日期 | 2015.11.25 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 刘洋 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人 | 郝传鑫;熊永强 |
| 主权项 | 一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括呈矩阵分布的多个金属氧化物半导体薄膜晶体管，所述金属氧化物半导体薄膜晶体管包括：基板；栅极，所述栅极设置在所述基板的一个表面上；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极上；第一有源层，所述第一有源层覆盖在所述栅极绝缘层上；其中，所述第一有源层中含有局部扩散的量子点金属；源极及漏极，所述源极及漏极设置于所述第一有源层上，且分别位于所述栅极的两侧；钝化层，所述钝化层覆盖在所述源极、漏极及第一有源层上。 | ||
| 地址 | 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号 | ||