| 摘要 |
자기정렬 프로세스에 있어서, 엑시머 레이저광 조사시에, 박막 트랜지스터를 구성하는 막의 과대한 온도상승을 방지한다. 엑시머 레이저광(16)을 투과시키는 기판(2)상에 확산 방지막(4)을 형성하고, 그 위에 게이트 전극(6) 및 게이트 절연막(8)을 형성하고, 그 위에 산화물반도체층(10)을 형성하는 구조체(14a)에, 기판(2) 측으로부터 엑시머 레이저광(16)을 조사하고, 게이트 전극(6)을 마스크로서 사용하여, 산화물반도체층(10) 중에서 게이트 전극(6)에 대응하는 영역의 양 외측의 영역에 엑시머 레이저광(16)을 조사하여 저저항화를 행하고, 이 양 외측 영역 중에 한쪽을 소스 영역(18), 다른 쪽을 드레인 영역 (19)로 한다. 상기 확산 방지막(4)은 실리콘 질화막 중에 불소를 포함하는 불소화 실리콘 질화막(SiN:F)에 의해 구성된다. |
