发明名称 前処理方法、グラフェンの形成方法及びグラフェン製造装置
摘要 A pretreatment method is performed before a graphene grows by performing a CVD method on a catalyst metal layer formed on a workpiece. The method includes a plasma treatment process in which the catalyst metal layer is activated by applying plasma of a treatment gas including a reducing gas and a nitrogen-containing gas on the catalyst metal layer.
申请公布号 JP5851804(B2) 申请公布日期 2016.02.03
申请号 JP20110245747 申请日期 2011.11.09
申请人 東京エレクトロン株式会社 发明人 松本 貴士
分类号 C01B31/02;B01J23/75;B01J23/755;B01J37/34 主分类号 C01B31/02
代理机构 代理人
主权项
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