| 发明名称 | 存储元件及存储器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了存储元件和存储器。该存储元件包括：磁性层，包括选自由Fe、Co和Ni组成的组中的至少一种元素以及碳，并且相对于Fe、Co和Ni的总量，碳的含量为3原子％以上且小于70原子％，并且在垂直于膜面的方向上具有磁各向异性；以及氧化物层，由具有氯化钠结构或尖晶石结构的氧化物形成并且与磁性层接触。 | ||
| 申请公布号 | CN102403449B | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201110259046.1 | 申请日期 | 2011.09.02 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 大森广之;细见政功;别所和宏;肥后丰;山根一阳;内田裕行 |
| 分类号 | H01L43/10(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I;G11C16/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种存储元件，包括：磁性层，包括选自由Fe、Co和Ni组成的组中的至少一种元素以及碳，并且相对于Fe、Co和Ni的总量，碳的含量为3原子％以上且小于70原子％，并且所述磁性层具有在垂直于膜面的方向上的磁各向异性；以及氧化物层，由具有氯化钠结构或尖晶石结构的氧化物形成，并且与所述磁性层接触，其中，包括吸收碳的元素的层形成在所述磁性层的与形成有所述氧化物层的面相对的面上，其中，非磁性层设置在所述包括吸收碳的元素的层与所述磁性层之间。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||