发明名称 | 有机电子器件的封装方法 | ||
摘要 | 公开了一种有机电子器件的封装方法,包括:制作电子器件前,在衬底材料背面淀积多层复合薄膜;电子器件制作完成后,在有机电子器件表面沉积多层复合薄膜。本发明提供的一种有机电子器件的封装方法,采用芯片级封装方法,将封装过程集成到器件制作工艺过程中,取代了以往的先在晶圆上制作器件,切割后单独封装的方式。这样做的益处在于,提高效率、降低成本,同时本发明创新地采用了有机/无机复合多层薄膜封装,既可以隔离水、氧,从而极大提高有机电子器件的使用寿命,又可以实现柔性封装,最大程度保留有机电子器件可折叠、弯曲的性能。最后,该发明可实现120℃以下低温成膜,减少了对器件和塑料衬底的热损伤。 | ||
申请公布号 | CN103258955B | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
申请号 | CN201210040415.2 | 申请日期 | 2012.02.20 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 吴茹菲;刘键 |
分类号 | H01L51/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人 | 刘丽君 |
主权项 | 一种有机电子器件的封装方法,其特征在于,包括:制作电子器件前,在衬底材料背面淀积多层复合薄膜;电子器件制作完成后,在有机电子器件表面沉积多层复合薄膜,所述在衬底材料背面和有机电子器件表面沉积多层复合薄膜是采用等离子增强化学气相沉积方法生长薄膜,保证低温成膜,尽量减少对电子器件和塑料衬底的热损伤,同时薄膜生长速率适中。 | ||
地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |