| 发明名称 | 一种低K介质层及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种低K介质层及其形成方法，通过对低K介质材料层进行处理，以得到疏水性的低K介质层，从而避免了所形成的低K介质层易于吸收水分的问题，保证了互连层之间较低的电容，提高了半导体电路的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103367238B | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201210101641.7 | 申请日期 | 2012.03.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 周鸣 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种低K介质层形成方法，其特征在于，包括：提供经过干法刻蚀的低K介质材料层；对所述低K介质材料层进行处理，以得到疏水性的低K介质层；对所述低K介质材料层进行处理包括：利用甲醇对所述低K介质材料层进行化学处理以及利用红外线对经过甲醇处理的低K介质材料层进行照射；所述化学处理指甲醇中的甲基取代低K介质材料层中的H原子，以破坏所述低K介质材料层中的OH根。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区上海市张江路18号 | ||