具有超高轴向剩磁比的一维磁性纳米线阵列的制备方法

摘要

本发明公开了一种具有超高轴向剩磁比的一维磁性纳米线阵列的制备方法。采用两次阳极氧化法制备具有均匀分布的通孔的氧化铝模板，再经过直流电沉积制得磁性纳米线阵列。电沉积过程中：在氧化铝模板的一面溅射上一层银作为阴极，待镀金属作为阳极，放入镀槽中，该镀槽中含待镀金属盐溶液作为电镀液。在阴、阳电极间加上设定的电压，控制电路中电流在一恒定值进行电沉积，根据所需纳米线长短设定沉积的时间，得到生长在模板孔中的纳米线阵列。这种方法可以制得具有超高轴向剩磁比的纳米线阵列，同时沉积过程具有很好的可控性。

主权项

具有超高轴向剩磁比的一维磁性纳米线阵列的制备方法，包括以下步骤：A、模板：准备具有均匀分布的通孔的模板，所述模板包括：氧化铝模板、多碳膜模板；B、直流电沉积：b1、直流电沉积：将模板的一面溅射上一薄层银作为阴极，待镀金属作阳极，放入镀槽中，采用含220g/LNiSO₄·6H₂O,50g/L NiCl₂和25g/L H₃BO₃的待镀金属盐溶液为电镀液；b2、参数控制：在步骤b1的阴极、阳极间加上设定的电压，保持电路电压恒定，控制沉积时间，即得到生长在模板孔中的金属纳米线阵列。