发明名称 基于双硼氮桥联联吡啶的共轭聚合物及其制备方法与应用
摘要 本发明公开了一种基于双硼氮桥联联吡啶的共轭聚合物及其制备方法与应用,属于太阳能电池技术领域。解决了现有技术中全聚合物太阳能电池的能量转换效率较低的技术问题。该共轭聚合物,具有如式(I)所示的结构,LUMO能级在-3.50到-4.0eV的范围内,光学带隙小于2.0eV,吸收光谱在300~800nm,电子迁移率为10<sup>-2</sup>~10<sup>-4</sup>cm<sup>2</sup>V<sup>-1</sup>S<sup>-1</sup>,并且通过桥联单元不同的给电子能力、与拉电子单元共聚的不同成键角度、烷基链的长短变化,能够调节共轭聚合物的LUMO/HOMO能级、光学带隙、材料迁移率以及活性层共混形貌,适用于作为高性能太阳能电池的受体材料。<img file="DDA0000821500390000011.GIF" wi="581" he="484" />
申请公布号 CN105295010A 申请公布日期 2016.02.03
申请号 CN201510664958.5 申请日期 2015.10.15
申请人 中国科学院长春应用化学研究所 发明人 刘俊;龙晓静;窦传冬;王利祥
分类号 C08G61/12(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I 主分类号 C08G61/12(2006.01)I
代理机构 长春菁华专利商标代理事务所 22210 代理人 王莹
主权项 基于双硼氮桥联联吡啶的共轭聚合物,其特征在于,具有如式(I)所示的结构:<img file="FDA0000821500360000011.GIF" wi="582" he="485" />式(I)中,n为2~100的整数;‑R<sub>1</sub>为以下结构中的一种:<img file="FDA0000821500360000012.GIF" wi="1172" he="299" />‑R<sub>2</sub>为以下结构中的一种:<img file="FDA0000821500360000013.GIF" wi="1877" he="296" />‑R<sub>2</sub>的结构中,m为4~24的整数;‑Ar‑的结构为a类结构或者b类结构,其中,a类结构为以下结构中的一种:<img file="FDA0000821500360000014.GIF" wi="1967" he="812" /><img file="FDA0000821500360000021.GIF" wi="1822" he="1168" />b类结构为以下结构中的一种:<img file="FDA0000821500360000022.GIF" wi="1860" he="1507" /><img file="FDA0000821500360000031.GIF" wi="1930" he="1311" />‑Ar‑的结构中,R<sub>3</sub>为C<sub>4</sub>~C<sub>24</sub>的烷基。
地址 130022 吉林省长春市朝阳区人民大街5625号