发明名称 |
LED芯片封装结构及其封装方法 |
摘要 |
本发明公开了一种LED芯片封装结构及其封装方法,所述LED芯片包括衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层及N电极和P电极,所述LED芯片上预设有用于进行MESA光刻的MESA线,所述P型半导体层、发光层及部分N型半导体层沿MESA线刻蚀形成有N台阶,所述N台阶上设有支撑平台,所述N电极包裹所述支撑平台并与N型半导体层电性连接,所述N电极的上边缘与MESA线之间的距离大于N电极的下边缘与MESA线之间的距离,所述N电极上通过焊球与焊接线电性连接。本发明通过在N台阶上设置支撑平台,N电极设于支撑平台的上方和侧边,支撑平台能够有效释放焊球在N电极上表面的表面应力,减小了焊接时N电极的变形,有效提高了LED器件的稳定性。 |
申请公布号 |
CN105304784A |
申请公布日期 |
2016.02.03 |
申请号 |
CN201510882777.X |
申请日期 |
2015.12.03 |
申请人 |
聚灿光电科技股份有限公司 |
发明人 |
李庆 |
分类号 |
H01L33/38(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/38(2010.01)I |
代理机构 |
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 |
代理人 |
杨林洁 |
主权项 |
一种LED芯片封装结构,所述LED芯片包括衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层及N电极和P电极,其特征在于,所述LED芯片上预设有用于进行MESA光刻的MESA线,所述P型半导体层、发光层及部分N型半导体层沿MESA线刻蚀形成有N台阶,所述N台阶上设有支撑平台,所述N电极包裹所述支撑平台并与N型半导体层电性连接,所述N电极的上边缘与MESA线之间的距离大于N电极的下边缘与MESA线之间的距离,所述N电极上通过焊球与焊接线电性连接。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市工业园区新庆路8号 |