| 发明名称 | 图案化金属膜层的方法、晶体管和阵列基板的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种图案化金属膜层的方法、晶体管和阵列基板的制备方法，属于显示技术领域，其可解决现有的避免了在对金属膜层刻蚀采用双氧水溶液对金属膜层进行刻蚀时，双氧水溶液受高浓金属离子的催化存在放热爆炸的风险的问题。本发明的图案化金属膜层的方法，包括：在基底上依次沉积牺牲层和光刻胶层，曝光、显影、刻蚀形成图案化的牺牲层和覆盖在所述图案化的牺牲层上方的图案化的光刻胶层；其中，所述图案化的牺牲层靠近待形成的图案化的金属膜层的侧壁形成倒角；在完成上述步骤的基底上，沉积金属膜层，并剥离去除图案化的牺牲层和光刻胶层，形成图案化的金属膜层。 | ||
| 申请公布号 | CN105304478A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201510667132.4 | 申请日期 | 2015.10.15 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 安晖;董必良 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 柴亮;张天舒 |
| 主权项 | 一种图案化金属膜层的方法，其特征在于，包括：在基底上依次沉积牺牲层和光刻胶层，曝光、显影、刻蚀形成图案化的牺牲层和覆盖在所述图案化的牺牲层上方的图案化的光刻胶层；其中，所述图案化的牺牲层靠近待形成的图案化的金属膜层的侧壁形成倒角；在完成上述步骤的基底上，沉积金属膜层，并剥离去除图案化的牺牲层和光刻胶层，形成图案化的金属膜层。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||