一种CMOS图像传感器的结构及其制备方法

摘要

本发明涉及半导体良率提升领域，尤其涉及一种CMOS图像传感器的结构及其制备方法，利用光的干涉原理，通过在制作过程中控制薄膜厚度的方法，使得反射光的损失减少，进而使得透射光的强度增加，对提高产品良率会产生很大的帮助。

主权项

一种CMOS图像传感器的结构，其特征在于，所述结构包括：光电二极管区域；接触刻蚀阻挡层，形成于所述光电二极管区域上方；硅化物掩膜，形成于所述接触刻蚀阻挡层上方；至少两个介质层，形成于所述硅化物掩膜上方；至少一个介质隔层，形成于所述介质层之间；光通道深槽，通过刻蚀所述介质层与所述介质隔层得到；保护层薄膜，形成于深槽刻蚀后的整个产品上表面。