具有不同局部阈值电压的半导体开关器件

摘要

本公开的实施例涉及具有不同局部阈值电压的半导体开关器件。一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有限定该半导体器件的有源区域的多个可开关单元；外缘；和布置在该可开关单元和该外缘之间的边缘端接区域。每个可开关单元包括本体区域、栅极电极结构和源极区域。源极金属化层与该可开关单元的源极区域形成欧姆接触。栅极金属化层与该可开关单元的栅极电极结构形成欧姆接触。该可开关单元所限定的有源区域包括至少一个具有第一阈值的第一可开关区域以及至少一个具有比第一阈值更高的第二阈值的第二可开关区域。该第一可开关区域所占的面积大于该第二可开关区域所占的面积。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底，包括多个可开关单元、外缘和布置在所述可开关单元和所述外缘之间的边缘端接区域，所述多个可开关单元限定所述半导体器件的有源区域，每个所述可开关单元包括本体区域、栅极电极结构和源极区域；源极金属化层，与所述可开关单元的源极区域形成欧姆接触；和栅极金属化层，与所述可开关单元的栅极电极结构形成欧姆接触；其中所述可开关单元所限定的所述有源区域包括至少一个具有第一阈值的第一可开关区域以及至少一个具有比所述第一阈值更高的第二阈值的第二可开关区域，并且其中所述第一可开关区域所占的面积大于所述第二可开关区域所占的面积。